深反应离子刻蚀
深反应离子刻蚀技术(Deep Reactive lon Etching,简称DRIE)起源于20世纪七八十年代,是用于制作高深宽比器件结构的先进微加工技术,主要应用于MEMS制造、集成电路三维集成、先进封装等领域。DRIE基于电感耦合等离子体技术,主要特点为各向异性刻蚀、选择性刻蚀、高深宽比、精密控制,以及与集成电路工艺高度兼容等。
SilVia®TSV的深反应离子刻蚀过程
根据刻蚀技术的不同,DRIE可分为稳态刻蚀(Steady-State Etching)和时间复用刻蚀(Time Multiplexed Etching)。稳态刻蚀往往需要在低温条件下进行,消除由副产物阻碍导致的刻蚀停止,其优点是易形成平滑且连续的刻蚀形貌,缺点是刻蚀速率低、刻蚀选择比低、设备要求高。时间复用刻蚀应用最普遍的是Bosch工艺,基于刻蚀和钝化周期性交替进行,将一个刻蚀循环分解为三个子过程:碳氟聚合物沉积、钝化层刻蚀和硅刻蚀,实现硅的深度和各向异性刻蚀,具有高刻蚀速率、高选择比、高精度、高垂直度、高深宽比、常温反应等优点。公司旗下产线的DRIE技术处于国际领先水平。