晶圆衬底通孔（TXV, through X via, X=Si、SiO₂ …）是一种连接晶圆不同表面电路的互连技术，通孔垂直穿过晶圆衬底，将晶圆衬底一侧的电信号传导到另一侧。

TXV一般由刻蚀在晶圆衬底上的通孔、通孔中的导体和将导体与晶圆衬底材料隔离的绝缘体组成。按照配置的不同，可分为实心式、空心式和气隙式。导体材料一般可以选择掺杂的单晶硅、多晶硅，以及铜（Cu）、钛（Ti）、金（Au）、铝（Al）、镍（Ni）等金属。绝缘体材料可以选择二氧化硅（SiO₂）、聚合物等。由于TXV通孔的电阻远小于许多MEMS器件的内阻，可以采用TXV将原来放置在MEMS晶圆上的引线键合焊盘移到盖帽（CAP）晶圆顶部。这样能够节省芯片面积，减少寄生电容和其它损耗（见图1）。

图1：使用TXV技术将芯片面积从2×2mm缩小至1×1mm，可大幅增加Die数量

TXV技术可以用于芯粒（Chiplet）、CMOS-MEMS垂直集成（3D集成）、2.5D转接板，以及晶圆级封装（WLP）。应用TXV技术的集成方案具备高性能、多功能、低成本、更可靠、小封装尺寸等优点，极大地推动了MEMS产业的技术进步。

公司旗下瑞典Silex，2003年开始研发硅TSV技术（SilVia®TSV, All-silicon Through Silicon Via）。2004年该技术首次在手机MEMS麦克风的2.5D转接板上应用，确立了瑞典Silex在TSV领域的领先地位（见图2、图3）。硅TSV技术具有全晶圆厚度的通孔，以及被绝缘材料环绕的导体柱，有利于形成坚固的低电阻互连结构，避免由于硅和金属热膨胀系数不匹配造成的应力。2006年，该技术作为工艺平台，开始投入MEMS器件的批量制造。

随后，瑞典Silex进一步开发基于金属导体的硅通孔技术（MetVia®TSV, Metal Through Silicon Via），金属导体结构的引入，提升了硅通孔的可靠性，生产了低电阻MEMS器件。2014年，由于智能设备的轻薄化，玻璃材料得到更广泛运用，瑞典Silex顺势研发出玻璃通孔技术（TGV, Through Glass Via），用于生产高压和高频应用的低电阻器件，以更好地利用玻璃的物理特性，减小器件的电路损耗。目前公司旗下赛莱克斯北京，已通过自主研发，掌握了先进的TSV技术。