聚能创芯亮相2020（冬季）USB PD＆Type-C亚洲展

　　近日，由充电头网主办的2020(冬季)USB PD&Type-C亚洲展在深圳市成功举办。作为第三代半导体功率器件供应商，青岛聚能创芯微电子有限公司(简称“聚能创芯”)及兄弟公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(简称“聚能晶源”)参展，展出了650 V系列GaN外延晶圆材料、GaN功率器件及相应的GaN快充应用方案，吸引了众多展会观众的关注。

　　在同期举办的“2020(冬季)USB PD & Type-C亚洲大会”上，聚能创芯总经理袁理以“面向快充应用的国产化GaN材料和器件技术解决方案”为题发表演讲，并在演讲中介绍了650V系列GaN外延晶圆材料、GaN功率器件及相应的GaN快充应用方案。

　　其中，聚能创芯650V氮化镓功率器件采用增强型器件技术，具有低寄生效应、高开关速度、高效率的特点。该系列产品导通电阻覆盖55-300mΩ、稳定输出电流9-24A、RdsonxQg为350mΩ/nC，可满足0-10kW的消费类快充、无线充电、智能家电、5G通讯、云计算等应用场景的需求。

　　基于上述650V系列氮化镓功率器件产品，聚能创芯开发了65-120W系列PD快充应用方案，以演示自有氮化镓功率器件在下一代快充应用中的技术优势。得益于聚能创芯氮化镓功率器件的低漏电、高效率、高开关速度的性能优势，聚能创芯氮化镓PD快充达到了输出效率大于94%，功率密度大于30W/inch³，有效解决了当下大功率快充发热大、尺寸不便携的痛点，成为各类便携式电子产品的优秀电源解决方案。

　　聚能创芯成立于2018年7月，主要从事第三代半导体氮化镓功率与微波器件的设计、开发。面向新一代功率与微波系统应用，聚能创芯致力于为目前需求旺盛的GaN快充领域提供高性能、高性价比的纯国产GaN器件与应用技术解决方案，为5G通讯、云计算、新型消费类电源、智能驾驶等提供核心元器件支持。